其中P(T)為輻射能量，σ為斯特藩—玻耳茲曼常量，ε為發(fā)射率，紅外測(cè)溫的精確與待測(cè)材料的發(fā)射率密切相關(guān)，由于COB光源表面的大部分材料發(fā)射率是未知的，為了精準(zhǔn)測(cè)溫，可將光源放置在恒溫加熱臺(tái)上，待光源加熱到一個(gè)已知溫度處于熱平衡狀態(tài)后，用紅外熱成像儀測(cè)量物體表面溫度，再調(diào)整材料的發(fā)射率，使其溫度顯示為正確溫度。COB芯片2)采用ASM的焊線設(shè)備將晶片11與基板12過導(dǎo)電線13進(jìn)行電性連接，使晶片11與基板12上的電路實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通，焊接完成后，對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行檢測(cè)，不合格的產(chǎn)品重新返修，合格的產(chǎn)品轉(zhuǎn)入下一道工序；3)在基板12上設(shè)置第一層圍壩14，晶片11及導(dǎo)電線13處于第一層圍壩14所包圍的區(qū)域內(nèi)，將設(shè)置好第一層圍壩14的基板12放進(jìn)烤箱進(jìn)行烘烤，待第一層圍壩14固化后取出COB芯片

對(duì)于COB光源接下來的發(fā)展，首先是在確保產(chǎn)品性能的前提下，將規(guī)模提上去、價(jià)格降下來;其次是從小功率向中、大功率發(fā)展;最后是結(jié)合COB光源的特性，配套研發(fā)更多的燈具，讓COB光源更充分發(fā)揮其作用。自2013以來，西鐵城、夏普、philipslumileds、首爾半導(dǎo)體、cree等國際大廠相繼在中國市場(chǎng)推出高光效、高品質(zhì)、高效率的cob新品。。當(dāng)然，亦可以采用自然固化的方法使第一層圍壩14固化；在第一層圍壩14上設(shè)置第二層圍壩15，將設(shè)置好第二層圍壩15的基板12放進(jìn)烤箱進(jìn)行烘烤，待第二層圍壩15固化后取出，亦可以采用自然固化的方法使第二層圍壩15固化，此時(shí)第一層圍壩14以及第二層圍壩15形成整體式的整體圍壩。根據(jù)實(shí)際需要，可在第二層圍壩15上設(shè)置繼續(xù)設(shè)置圍壩，這樣形成整體圍壩的層數(shù)更多，使得整體圍壩的高度更高，設(shè)置圍壩的目的是為了后面的封膠做準(zhǔn)備，而設(shè)置多層的整體圍壩是為了增加圍壩的高度，亦可用其他方法增加圍壩的高度，如優(yōu)化圍壩設(shè)備等；COB芯片3光品質(zhì)優(yōu)勢(shì)傳統(tǒng)SMD封裝通過貼片的形式將多個(gè)分立的器件貼在PCB板上形成LED應(yīng)用的光源組件，此種做法存在點(diǎn)光，眩光以及重影的問題COB芯片

我認(rèn)為COB光源需要不斷提高性價(jià)比，才能擴(kuò)大其應(yīng)用范圍：首先，COB基板導(dǎo)熱性能要提高，出光效率要提升，這樣集成度會(huì)增加，單位面積的功率可以做的更高；其次，需要繼續(xù)提高性價(jià)比，尤其是中功率芯片，COB的大部分成本由芯片決定；再則，提升COB生產(chǎn)設(shè)備自動(dòng)化程度，目前COB生產(chǎn)設(shè)備自動(dòng)化程度不高，其生產(chǎn)效率低下，生產(chǎn)成本偏高。。而COB封裝由于是集成式封裝，是面光源，視角大且易調(diào)整，減少出光折射的損失。還可以通過加入適當(dāng)?shù)募t色芯片組合，在不明顯降低光源效率和壽命的前提下，有效地提高光源的顯色性。

COB芯片COB與傳統(tǒng)LEDSMD比較背景：LED自進(jìn)入照明領(lǐng)域，最初形式是燈珠直接焊接在板上，先3528，5050，再后來3014，2835COB芯片裸芯片技術(shù)主要有兩種形式：一種COB技術(shù)，另一種是倒裝片技術(shù)(FlipChip)。板上芯片封裝(COB)，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確?？煽啃?。。但這種方式的弊端是工序繁多，又是LED封裝又是SMT，成本高，更有傳熱等問題。所以COB在這個(gè)時(shí)候被引進(jìn)了LED領(lǐng)域。