光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結構LEDp、n電極在LED的同一側，電流須橫向流過n-GaN層，導致電流擁擠，局部發熱量高，限制了驅動電流；其次，由于藍寶石襯底導熱性差，嚴重阻礙了熱量的散失。在長時間使用過程中，因為散熱不好而導致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。LED倒裝集成光源LED集成光源和
COB光源有區別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功百率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的LED倒裝集成光源
●安裝簡單，使用方便，降低燈具設計難度，節約燈具加工及后續維護成本。
COB光源是在LED芯片直接貼在高反光率的鏡面金屬基板上的高光效集成面光源技術，此技術剔除了支架概念，無電鍍、無回流焊、無貼片工序，因此工序減少近三分之一，成本也節約了三分之一。。而
COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量度的
COB光源也會用到1瓦以上的大功率LED芯片。LED倒裝集成光源2低熱阻優勢傳統SMD封裝應用的系統熱阻為：芯片-固晶膠-焊點-錫膏-銅箔-絕緣層-鋁材LED倒裝集成光源
倒裝COB模組將主要應用于高功率產品，具有更高的可靠性，熱阻和節溫比正裝芯片低30%。而倒裝芯片COB產線投資可減少50%，由于無金線，無支架，BOM成本減少20%以上，人員也可縮減30%，使其性價比大幅提升。。COB封裝的系統熱阻為：芯片-固晶膠-鋁材。COB封裝的系統熱阻要遠低于傳統SMD封裝的系統熱阻，大幅度提高了LED的壽命。
LED倒裝集成光源以下結合具體實施例對本發明的實現進行詳細的描述。本實施例的附圖中相同或相似的標號對應相同或相似的部件；在本發明的描述中，需要理解的是，若有術語“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系LED倒裝集成光源現在國產
cob光源在r9大于零，顯色指數大于80的前提下，已可以將光效做到110lm/w。進入到2014年以后，國產和進口cob技術差距不斷縮小。鄒義明表示，今年國產cob整體光效將在現有基礎上提升10%左右，超過120lm/w，以更好地適應當前商照市場需求。，僅是為了便于描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此附圖中描述位置關系的用語僅用于示例性說明，不能理解為對本專利的限制，對于本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語的具體含義。
